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迄今最小面积存储单元诞生 横截面仅1平方纳米
生活中的存储设备常见的有U盘,硬盘等,在更早的之前还有软盘这种东西。而那时候一张软盘的存储容量甚至只有几MB的大小,对比现在的一张256GB的存储卡,从体积上看就像是隔了好几代技术更新的产品。而近日的一项发明可能将存储设备再次进行更新。
据物理学家组织网报道,美国科学家们已经研制出了目前最小的存储单元,其横截面积仅有1平方纳米。而该项研究是基于他们两年前的成果得到的,当时他们将存储单元的厚度缩小到了一个原子,而最新的研究已经将这项记录推进到了横截面积1平方纳米。
作为资助方的美国陆军研究办公室项目经理帕尼·瓦拉纳西说:“这项研究获得的结果为开发国防部感兴趣的下一代应用,如超高密度存储、神经形态计算系统、射频通信系统等铺平了道路。”
为什么要不断缩小存储单元呢?这就和手机芯片的制程工艺是一样的,10nm和5nm在相同核心下的性能有着质的差别,同等面积下塞进更多的晶体管,性能自然会提升。而存储单元越小,那么存储密度就会更大。这个最小的存储单元可以使目前的存储设备每层提高100倍的存储密度。这将有利于基于储存而开发的各种设备,像是手机芯片以及计算机等等。
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