三星推出首款3nm芯片 计划在2nm工艺实现弯道超车

三星自从宣布成为首个量产3nm工艺的芯片厂商，预计在明年我们或许能看到采用3nm制程的芯片产品。相比5nm制程工艺，在性能上平均提升20%，功耗降低了35%，性能表现出色。

作为全球顶尖的芯片代工企业，三星也正在加快步伐，据悉2nm制程工艺也已经列入研发计划，预计在2025年实现量产。

三星从7nm工艺开始就落后于台积电，尤其在英伟达和高通的芯片产品，采用三星的制程后表现都不尽如人意，也让消费者将矛头指向了三星。似乎之前的经历也让三星有所反思，在3nm工艺上将会采用了GAAFET工艺，从而让晶体管电气性能更加出色，并且有效降低能耗。

 在2nm工艺上，三星将继续采用GAA晶体管，并对结构进行优化与提升，从而在控制功耗的同时让性能更加出色。不过距离量产还有三年时间，期间是否存在变数还不得而知。

由于目前台积电在2nm制程工艺的研发上并不顺利，这也让三星看到的弯道超车的机会，于是想接着2nm实现反超的机会。

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