近日，数码博主@数码闲聊站爆料，高通年底发布的骁龙Gen 3芯片依旧使用台积电N4P工艺代工，这预示着三星将无缘骁龙Gen 3芯片。根据爆料，台积电的N4P工艺和N5工艺相比，性能提升11%，能效提升22、并且晶体管的密度也能提升6%。并且N4P工艺在设计规则、设计基础设施、模..

12月17日消息，三星和IBM宣布推出了全新的半导体设计——使用垂直晶体管构架的垂直传输效应晶体管——VTFET。两家公司表示，和原本的缩放鳍式场效应晶体管 (finFET)相比，全新的构架可以将能源消耗减少85%，此外三星还公布了一项用于IBM服务器芯片的生产计划，将采用5nm..

如果说Intel在工艺技术指标上是最强的，应该没有人会反对。但眼看台积电已在3nm工艺上跃跃欲试，Intel还在10nm徘徊，单从字面意义上来看，Intel的进度似乎已经完全落后于对手。但事实上，Intel10nm晶体管的指标其实已经达到了台积电7nm的水平。或许是意识到自家工艺命名..

目前手机芯片的制程工艺已经达到了5nm这一突破，随后的3nm甚至1nm都是一个非常巨大的挑战，这些nm级参数越小，代表着单位面积上容纳的晶体管数量就越多。不过这些数量总会限制于平铺在硅晶片上晶体管的体积，一旦晶体管体积到达了可以缩小的临界值，那么是否意味着芯片..